NAND闪存的数据读操作电压施加方法及装置.pdfVIP

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2023-04-28 发布于北京
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NAND闪存的数据读操作电压施加方法及装置.pdf

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本发明涉及一种NAND闪存的数据读操作电压施加方法及装置、计算机可读介质，方法包括：在对NAND闪存中的每一个页的读操作时，向第一字线施加读电压，向第二字线施加导通电压，向第三字线施加第一电压；第一字线为待读页对应的字线，第三字线为与第一字线相邻的多个字线，二字线为待读页对应的块中除了第一字线和第三字线之外的字线；第一电压为导通电压与第一补偿电压之和，第一补偿电压小于第二补偿电压，第二补偿电压为仅向与第一字线相邻的一个上层字线和一个下层字线进行电压补偿时所采用的补偿电压。本发明相对于现有技术可以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203236 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202111512765.X G06F 3/06 (2006.01) (22)申请日 20