一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置.pdfVIP

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2023-04-28 发布于四川
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一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置.pdf

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本发明公开了一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置，装置包括真空加热腔室、均温台和等离子体发生器，真空加热腔室内设有加热器，均温台设置在真空加热腔室内，碳化硅晶片放置在均温台上，真空加热腔室与抽真空装置相连，真空加热腔室上设有进气口，真空加热腔室上设有与进气口相连通的等离子体发生腔，等离子体发生器与等离子体发生腔相对设置，在富含硅气氛下通过采用等离子体辅助化学气相沉积方法使得碳化硅晶片表面沉积二氧化硅薄膜，有效防止碳化硅晶片中硅组分在高温下升华溢出，碳化硅晶片整个表面可沉积高质量的二氧化硅薄膜进而形成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203527 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202111535802.9 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人浙江大学杭州国际科创中心