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本发明公开了一种具有n型低阻欧姆接触结构的深紫外芯片及其制备方法，该深紫外芯片包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、n型AlGaN辅助扩展层、n型AlGaN接触层、量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层、p型GaN接触层和p电极，还包括n电极；沿p型GaN接触层一侧刻蚀至n型AlGaN接触层，n型AlGaN接触层形成阶梯状结构，n电极设置于n型AlGaN接触层的刻蚀区域处；沿n型AlGaN电子注入层到n型AlGaN接触层方向，n型AlGaN辅助扩展层的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114203868 A
(43)申请公布日 2022.03.18
(21)申请号 202111517390.6 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2
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