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本申请提供了一种FRD结构及其制作方法和应用。其中,FRD结构包括P‑阱区、多个P+阱区、至少一个内场氧化层、衬底和覆于衬底的外场氧化层;外场氧化层沿衬底的周缘环形设置,外场氧化层围成对应于衬底的中间位置的源区,P‑阱区覆于衬底且位于源区,多个P+阱区均覆于P‑阱区且均嵌入P‑阱区,多个P+阱区相互间隔,以形成至少一个泄放通道,且P‑阱区与泄放通道对应的位置均覆有内场氧化层,内场氧化层相对的两端均与外场氧化层衔接;泄放通道用于引导FRD结构的雪崩电流直通至源区的中间位置。本申请使得雪崩电流的流动
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114203830 A
(43)申请公布日 2022.03.18
(21)申请号 202111447230.9
(22)申请日 2021.11.30
(71)申请人 深圳
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