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半导体器件的形成方法.pdfVIP

半导体器件的形成方法.pdf

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    一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成氮化钛材料层；采用还原气体对所述氮化钛材料层进行还原处理；图案化所述氮化钛材料层，以去除部分所述氮化钛材料层，形成氮化钛层。本发明实施例提供的半导体器件的形成方法，可以还原被氧化后的氮化钛，得到稳定的氮化钛层，有利于提高半导体器件的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114079008 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010851431.4 (22)申请日 2020.08.21 (71)申请人 中芯南方集成电路制造有限公司

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