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本发明提供了一种多态磁性存储器件及制备方法,该多态磁性存储器件是基于范德瓦尔斯异质结的自旋阀器件,主要由第一磁性层、非磁性层、第二磁性层以及绝缘层叠加构成范德瓦尔斯异质结。该范德瓦尔斯异质结中,在第一磁性层与非磁性层界面处和第二磁性层与非磁性层界面处,引入相反极化方向的自旋积累能够打破原先简并的电子输运状态,从而在电学探测时完整地呈现出四个电阻态。由于四个磁性状态对应四个不同的电阻态,所以可以进一步实现对两个磁性层的四种磁性状态的电学探测,并且通过外电场能够调控四个态的大小和窗口,最终实现在一个
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068805 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202111355394.9
(22)申请日 2021.11.16
(71)申请人 中国
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