半导体器件结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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半导体器件结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；栅极结构；第二导电类型的阱区；第一导电类型的源极区；第一肖特基接触层，位于栅极结构远离第二导电类型的阱区的一侧，且位于第一导电类型的外延层远离第一导电类型的衬底的表面或位于第一导电类型的外延层内；源极金属层以及漏极金属层。该半导体器件结构具有优异的效率和稳定性，同时，原料成本低，制备工艺简便。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005824 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111433609.4 (22)申请日 2021.11.29 (71)申请人绍兴诺芯半导体科技有限公司