一种功率半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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一种功率半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，其中，包括：第一导电类型衬底上设置第一导电类型外延层；第一导电类型外延层内设置第一导电类型阱区，分布在第二类通孔下方且包覆第一类沟槽的侧部和底部，第一导电类型阱区内的杂质的浓度高于第一导电类型外延层内的杂质的浓度；或者，分布在第二类通孔与第二类沟槽之间的第一类沟槽的侧部和底部，相邻第二类通孔之间的第一类沟槽的侧部和底部，以及第二类沟槽的侧部和底部，第一导电类型阱区内的杂质的浓度低于第一导电类型外延层内的杂质的浓度。本发明还公开了一种功率半导

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114005880 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202111278894.7 H01L 29/423 (2006.01)