半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一单层连接结构以及一多层连接结构，该单层连接结构位在该基底上，该多层连接结构位在该基底上，并包括交错堆叠的多个第一导电层以及多个第二导电层。该多层连接结构的一上表面大致与该单层连接结构的一上表面为共面，且该多层连接结构的一宽度是小于该单层连接结构的一宽度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023722 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202110571521.2 (22)申请日 2021.05.25 (30)优先权数据 16/932,37