半导体结构的制作方法以及半导体结构.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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半导体结构的制作方法以及半导体结构.pdf

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本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：形成预备基底结构，预备基底结构包括衬底、堆叠结构、栅介电层以及介质材料层，其中，堆叠结构位于衬底上，堆叠结构包括本体结构和位于本体结构中的沟道孔，本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，栅介电层位于沟道孔的内壁上，介质材料层位于栅介电层的部分表面上，且介质材料层的裸露表面低于本体结构的远离衬底的表面；去除部分的栅介电层，使得沟道孔的远离衬底的部分侧壁裸露，剩余的预备基底结构为基底结构，沟道孔中未被填充的部分形成凹槽；在凹槽中形成插

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023759 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111258549.7 (22)申请日 2021.10.27 (71)申请人长江存储科技有限责任公司