一种闪存阻态的精确调控方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种闪存阻态的精确调控方法.pdf

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本发明公开一种闪存阻态的精确调控方法，属于半导体器件领域，闪存为pflash，包括半导体衬底，其表面间隔设置有源端和漏端，源端和漏端之间间隙的上方有控制栅和浮栅，控制栅位于浮栅上方，之间以绝缘层隔开；浮栅与源端和漏端之间隔有氧化层；闪存阻态的精确调控方法包括：在漏端施加脉冲负压，控制栅施加直流电压，源端施加直流电压或浮空，半导体衬底施加直流电压或浮空。本发明通过不断在漏端施加脉冲电压，利用控制栅处直流电压形成的电势差，多次微量改变浮栅中的电子数，调控闪存器件到不同编程态，实现高精度的阻态调控，具

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113963736 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111234702.2 (22)申请日 2021.10.22 (71)申请人中国电子科技集团公司第五十八研