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本发明提供了一种存储器单元,该存储器单元具有修改的闪存存储器单元的结构,但是被配置为在低电压域中操作(例如,使用≤6V幅度的电压以用于编程和/或擦除操作)。与允许此类低电压操作的常规闪存存储器单元相比,所公开的存储器单元可形成有厚度减小的电介质层。所公开的存储器单元可与先进、高密度、低能耗的数据计算应用兼容。所公开的存储器单元可替换或减少常规设备(例如,微控制器或计算机)中对RAM(例如,SRAM或DRAM)的需要,并且因此称为“RAM闪存”存储器单元。RAM闪存存储器单元的数据保留可通过(a)
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113966533 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 201980097143.X (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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