垂直结构的微型发光二极管芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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垂直结构的微型发光二极管芯片及其制备方法.pdf

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本发明公开了垂直结构的微型发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。先在透明导电膜层上正常依次生长一层第一氧化硅层，在第一氧化硅层上涂覆一层光刻胶并图形化，干法刻蚀配合湿法腐蚀依次得到面积依次减小的第二氧化硅层、氧化硅掩膜层，灵活控制由第二氧化硅层腐蚀得到的氧化硅掩膜层的尺寸。去除未被氧化硅掩膜层覆盖的透明导电膜层，得到尺寸较小的透明导电层。干法刻蚀配合湿法腐蚀得到的氧化硅掩膜层可以有效控制透明导电层加工图形的尺寸，成本较低且可以保证最终得到的透明导电层的稳定制备。能够降低微型发光二极

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990986 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111154723.3 (22)申请日 2021.09.29 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司