一种半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种半导体结构的形成方法.pdf

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本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一基底，基底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区的基底内分别具有至少一个开口，所述开口内具有涂层，其中，第一区涂层的厚度小于第二区涂层的厚度；向所述涂层的表面通入刻蚀气体、沉积气体和稀释气体，对涂层进行处理；所述稀释气体用于促进聚合物在第一区开口内的沉积速率大于基底表面的沉积速率，以缩小第一区涂层与第二区涂层的厚度差。利用所述方法能够降低第一区与第二区涂层的厚度差。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964030 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202010701999.8 (22)申请日 2020.07.21 (71)申请人中微半导体设备（上海）股份有限公