中心对称双排Si基GaN肖特基二极管.pdfVIP

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2023-04-18 发布于北京
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本实用新型公开了一种中心对称双排Si基GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，同一侧并列的两个所述肖特基二极管结沿所述第一焊盘的前后方向设置，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等。所述二极管能够提高使用良率且价格低，易于产业化，耐功率特性好，并可增加输出功率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215815890 U (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202121687648.2 (22)申请日 2021.07.23 (73)专利权人深圳市电科智能科技有限公司