一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构.pdfVIP

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2023-04-17 发布于四川
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一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构.pdf

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本实用新型涉及一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上形成沟槽，并在沟槽内设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215771162 U (45)授权公告日 2022.02.08 (21)申请号 202121941707.4 H01L 29/04 (2006.01) (22)申请日 2