MIM电容器及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-15 发布于四川
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MIM电容器及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种MIM电容器及其制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，本发明是先形成MIM电容器的电介质层，然后，再在该电介质层中利用一步刻蚀工艺形成三维全环绕式沟道，之后，再在该三维全环绕式沟道中利用一步薄膜沉积工艺形成作为MIM电容器的上下极板的金属层，从而实现了在提出一种新型的三维双环绕式MIM电容器结构的同时，简化了该三维双环绕式MIM电容器的制造工艺步骤，即，将现有技术中的三步薄膜工艺缩减成两步，缩短了器件的制造时间以及制造成本。并且，通过形成三维双环绕式MIM电容器的方式提高硅片的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115843219 A (43)申请公布日 2023.03.24 (21)申请号 202211603947.2 (22)申请日 2022.12.13 (71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中