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2023-04-12 发布于四川
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半导体器件.pdf

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本实用新型涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底、栅极线和应力层。所述衬底具有从所述衬底突出的多个第一鳍片。所述栅极线设置在所述衬底上，跨过所述第一鳍片，以进一步包括栅极电极层和栅极电介质层，其中所述栅极电介质层设置在所述栅极电极层和所述第一鳍片之间。所述应力层仅设置在所述第一鳍片的侧表面上和所述衬底的最顶表面上，其中所述应力层的材料不同于所述第一鳍片的材料。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215600366 U (45)授权公告日 2022.01.21 (21)申请号 202121180640.7 (22)申请日 2021.05.28 (73)专利权人福建省晋华集成电路有限公司