高可靠性沟槽功率MOS晶体管.pdfVIP

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2023-03-15 发布于北京
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高可靠性沟槽功率MOS晶体管.pdf

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本实用新型公开一种高可靠性沟槽功率MOS晶体管，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方；所述重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于和重掺杂P型植入区上表面并延伸覆盖凹槽剩余部分。本实用新型高可

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213583802 U (45)授权公告日 2021.06.29 (21)申请号 202022576714.0 (22)申请日 2020.11.09 (73)专利权人开泰半导体（深圳）有限公司