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本发明公开了生产电子级多晶硅的方法。该方法包括:(1)在多晶硅还原炉内设置多圈硅棒,其中,内圈硅棒采用低电阻硅芯,中圈硅棒和/或外圈硅棒采用高电阻硅芯;(2)向所述内圈硅棒施加第一电压、以高压击穿的方式通电,并向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气,进行第一阶段反应,在所述内圈硅棒上沉积得到第一多晶硅产品;(3)向所述中圈硅棒和/或外圈硅棒施加第二电压,持续向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气,进行第二阶段反应,在所述中圈硅棒和/或外圈硅棒上沉积得到第二多晶硅产品。该方法可显著降低多晶硅产品中
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113264528 A (43)申请公布日 2021.08.17 (21)申请号 202110405133.7 (22)申请日 2021.04.15 (71)申请人 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
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