具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管.pdf

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本发明公开了一种具有NiO/SiCpn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p‑NiO层向上依次设置有n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上镶嵌有p‑SiC阱区，p‑SiC阱区上镶嵌有p‑SiC欧姆接触区与n‑SiC发射区；n‑SiC漂移区、p‑SiC阱区、以及n‑SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p‑SiC欧姆接触区、n‑SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p‑NiO层下端面覆盖有集电极。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111129137 A (43)申请公布日 2020.05.08 (21)申请号 20191