二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件.pdf

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本发明公开了一种二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件，该制备方法包括：提供一反应装置，所述反应装置包括低压的反应腔室，该反应腔室具有依次间隔设置的第一区域和第二区域；将含硒前驱体放置于第一区域，含铜前驱体和含氧前驱体放置于第二区域；生长基底放置于二区域，倒扣于含铜前驱体和含氧前驱体上方；热处理，含硒前驱体、含铜前驱体和含氧前驱体蒸发、反应，并在生长基底表面获得BiCuSeO纳米片。本发明通过一种化学气相沉积（CVD）方法，实现了最小厚度7.6nm、横向尺寸最大270μm的二维BiCu

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114477105 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210321021.8 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人中国科学院苏州纳米