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本实用新型提供一种具有浪涌防护功能的肖特基结构,其包括N型衬底、肖特基势垒层、P++扩散层、表面结构、阴极电极和P+分压环,肖特基势垒层设置在N型衬底一端中部,P++扩散层呈环状,设置在肖特基势垒层外侧,表面结构设置在肖特基势垒层一端,用于芯片封装焊接,阴极电极设置在N型衬底一端,用于封装电极焊接导电,P+分压环设置在N型衬底一端,呈环状,且位于P++扩散层外侧。本实用新型的具有浪涌防护功能的肖特基结构,相当于在肖特基势垒结四周有一圈单向TVS对肖特基势垒结进行保护,P+分压环可以降低肖特基的表
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212848416 U
(45)授权公告日 2021.03.30
(21)申请号 202022145705.6
(22)申请日 2020.09.25
(73)专利权人 深圳长晶微电子有限公司
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