高压晶闸管器件.pdfVIP

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2023-02-23 发布于四川
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高压晶闸管器件.pdf

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本实用新型公开一种高压晶闸管器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔；所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212810285 U (45)授权公告日 2021.03.26 (21)申请号 202021859235.3 (22)申请日 2020.08.31 (73)专利权人苏州兴锝电子有限公司