半导体器件及硅光电倍增器.pdfVIP

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2023-02-20 发布于四川
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半导体器件及硅光电倍增器.pdf

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本实用新型公开了一种半导体器件及硅光电倍增器。半导体器件具体为成像设备，该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。在成像设备(诸如硅光电倍增器)中将SPAD靠近放置在一起可具有有益效果诸如改善的灵敏度。然而，随着SPAD变得更靠近在一起，SPAD可能变得易受串扰的影响。由于动态范围减小和信号精度降低，串扰通常是不期望的。为了减少串扰，电容器或其他部件可耦接在相邻SPAD之间。当在给定SPAD上发生雪崩时，偏压电压可降低到低于击穿电压。电容器可在相邻SPAD上引起对应电压降。相邻SPAD上的电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212693089 U (45)授权公告日 2021.03.12 (21)申请号 202021741009.5 H01L 27/146 (2006.01) (22)申请日