具有可调电容的沟槽栅IGBT器件.pdfVIP

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2023-02-14 发布于四川
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具有可调电容的沟槽栅IGBT器件.pdf

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本实用新型公开了具有可调电容的沟槽栅IGBT器件，包括N型漂移区，所述N型漂移区的底部设置有N+缓冲区，所述N+缓冲区的底部设置有P+集电区，N型漂移区的顶部设置有P型基区，P型基区的顶部设置有P型沟道区，N型漂移区顶部的两侧均贯穿设置有绝缘栅氧化层。本实用新型通过N型漂移区、N+缓冲区、P+集电区、P型基区、P型沟道区、卡柱、N型源区、可调电容、绝缘介质板、P+发射区、栅极导电多晶硅、电介质体、绝缘栅氧化层和绝缘橡胶垫的配合使用，解决了现有的沟槽栅IGBT器件通常不具备可调电容，在使用的过程中

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212542441 U (45)授权公告日 2021.02.12 (21)申请号 202021293906.4 (22)申请日 2020.07.05 (73)专利权人浙江天毅半导体科技有限公司