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本实用新型公开了一种高压ESD保护电路,包括至少两个NMOS管;各NMOS管串联后接入电源端与地之间;电源端与地端之间还设有RC串联电路,各NMOS管的栅极相连后连接至所述RC串联电路的电阻器与电容器之间;还包括:在串联的NMOS管与RC串联电路之间设置反相器,和/或通过所述NMOS管构造快速驱动电路;本实用新型高压ESD保护电路,内部电路采用薄栅氧低压器件来实现耐高压设计,具体通过串联的多个NMOS管(薄氧化层)和反相器提高ESD结构的耐高压能力,避免使用额外的厚氧化层高压器件,从而减少了厚氧
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212518401 U
(45)授权公告日 2021.02.09
(21)申请号 202021682676.0
(22)申请日 2020.08.13
(73)专利权人 伟芯科技(绍兴)有限公司
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