一种高压ESD保护电路.pdfVIP

  1. 1、本文档共12页,其中可免费阅读6页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本实用新型公开了一种高压ESD保护电路,包括至少两个NMOS管;各NMOS管串联后接入电源端与地之间;电源端与地端之间还设有RC串联电路,各NMOS管的栅极相连后连接至所述RC串联电路的电阻器与电容器之间;还包括:在串联的NMOS管与RC串联电路之间设置反相器,和/或通过所述NMOS管构造快速驱动电路;本实用新型高压ESD保护电路,内部电路采用薄栅氧低压器件来实现耐高压设计,具体通过串联的多个NMOS管(薄氧化层)和反相器提高ESD结构的耐高压能力,避免使用额外的厚氧化层高压器件,从而减少了厚氧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212518401 U (45)授权公告日 2021.02.09 (21)申请号 202021682676.0 (22)申请日 2020.08.13 (73)专利权人 伟芯科技(绍兴)有限公司

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
服务提供商

知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

版权声明书
用户编号:8063122115000010
认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档