一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列.pdfVIP

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2023-02-14 发布于四川
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一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列.pdf

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本实用新型公开了一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列，包括N型高阻硅衬底，N型高阻硅衬底的顶面上生成有SiO2氧化层，SiO2氧化层上经刻蚀、离子注入形成有P+重掺杂阴极螺旋环结构，P+重掺杂阴极螺旋环结构为平面螺旋环结构，且P+重掺杂阴极螺旋环结构的中心位置设置有与其连接的收集阴极，N型高阻硅衬底的底面经刻蚀、离子注入形成有n+重掺杂离子注入层。P+重掺杂阴极螺旋环结构以收集阴极作为起始位置逆时针呈方形或多边形向外螺旋延伸至SiO2氧化层的任意一侧边缘。单面阴极为螺旋环结构的硅像素探

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212517206 U (45)授权公告日 2021.02.09 (21)申请号 202021476273.0 (22)申请日 2020.07.23 (73)专利权人湖南正芯微电子探测器有限公司