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本实用新型涉及一种磁隧道结的测试系统。上述磁隧道结的测试系统包括:溅射装置、遮挡装置、微纳加工装置及测试装置。溅射装置用于轰击靶材以溅射出靶材粒子;遮挡装置用于遮挡部分靶材粒子,以在基材同一侧的不同位置上沉积多个薄膜样品,每个薄膜样品均包括依次层叠的第一磁性薄膜、绝缘薄膜和第二磁性薄膜;微纳加工装置用于对薄膜样品进行加工处理以在每个薄膜样品上形成一个霍尔条;测试装置包括测试电极和测试设备,测试电极与霍尔条接触,且测试电极与测试设备连接,测试设备通过测试电极对薄膜样品的电磁特性进行测试。上述磁隧道
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212514975 U
(45)授权公告日 2021.02.09
(21)申请号 202021950036.3
(22)申请日 2020.09.08
(73)专利权人 香港中文大学(深圳)
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