一种具有分裂栅结构的超级结 MOS及器件.pdfVIP

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2023-02-12 发布于四川
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一种具有分裂栅结构的超级结 MOS及器件.pdf

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本实用新型提出一种具有分裂栅结构的超级结MOS及器件，包括元胞区域，所述元胞区域上设有分裂栅结构和超级节结构。本实用新型提供的分裂栅结构的超级结MOS，通过分裂栅和超级节相结合的结构设计，能够使得整个超级结MOS同时具备分裂栅和超级节的优点，可以有效降低MOS的Qg和Rds(on)，解决了现有的超级节MOS的Qg大，导致开关速度慢的问题，从而提高了开关速度并减少了开关损耗。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212461697 U (45)授权公告日 2021.02.02 (21)申请号 202021595848.0 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2020