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(1) 欧姆接触层 它是直接与硅芯片接触的，要求与N型或P型硅都能形成良好的欧姆接触、性能稳定，不与硅、上层金属形成高阻化合物。常用的金属有铁、铂、银、铝等。欧姆接触层一般只需几个纳米。 目前用得较多的是铂，铂—硅合金的优点是：当温度超过组装工艺中的温度时，器件仍能稳定工作，且提供了一种适合于多种金属的良好的欧姻接触。 第三十一页，共五十六页。 (2) 粘附层 若欧姆接触层材料(如铂)与SiO2粘附不好，还需要加上粘附层，把欧姆接触层与 SiO2 、上层金属粘合起来，以便在 SiO2 上形成牢固的引线键合点和集成电路的内引线互联。常用的金属有钛、锆、铬、铝等。粘附层约几十纳米厚。 第三十二页，共五十六页。 (3) 过渡层 作用：一方面用来阻挡上层的金属透过粘附层与硅合金形成化合物；另一方面要阻挡导电层与下层金属产生高阻化合物，且要求它与上下层接触电阻小，针孔少。 常用铂、钯、钨、镍、镍—铬等材料。过渡层应足够厚，一般为100~200 nm，才能防止扩散。若过渡层工艺控制不当，将导致器件失效。 第三十三页，共五十六页。 例如，氧化层与金属膜未对准。使导体金属进人有源区；若过渡层初始不够完善，以后工序使其密度、相发生显著变化，导致过渡层龟裂或翘起。 (4) 导电层 导电层是金属，位于多层金属的最上层，直接与内引线键合。导电层应稳定性好，电阻率低以及利于压焊。 金与二氧化硅粘附差，与硅的共熔温度低(370℃)，故它不能像铝那样单独作为电极使用。由于它的抗电迁移能力与稳定性比铝好，所以在多层电极中用作导电层是很合适的。 第三十四页，共五十六页。 3. 铜互连技术 器件和互连线的尺寸和间距不断缩小，互连线的电阻和电容急剧增加，引起电信号传输的延迟。除了时间延迟以外，还产生了噪声容限。功率耗散和电迁移等问题。因此研究导电性能好、抗电迁移能力强的金属一直是一个重要的课题。 Cu互连的优点：电阻率较Al低40%，可以减少金属布线层数，缩小芯片面积，提高性能和可靠性 Cu互连的缺点： Cu原子在Si和SiO2中扩散快；不易产生挥发性物质；在空气中容易氧化。 第三十五页，共五十六页。 4. 集成电路栅极薄膜用硅化物 随着集成电路集成度的提高，对其栅极和互连线材料的耐热性要求在不断提高。 传统的多晶硅及铝材料己不能满足要求；难镕金属W、Mo虽具有良好的导电件和高熔点。但它们不抗氧化。致使集成电路的制备温度受到限制。 难熔金属硅化物因只有低的电阻率和高的稳定性而受到重视。最受人注目的4种硅化物是TiSi2、TaSi2、MoSi2和WSi2， 第三十六页，共五十六页。 2.4.11 薄膜导电材料的发展 薄膜导电材料的发展方向： 　①高温薄膜导电材料: 　　 高温薄膜导电材料主要有钛钨－金复合薄膜。它可在400~4500C温度下稳定地工作。 　②贱金属薄膜导电材料: 　　 贱金属薄膜导电材料主要有Ni膜、NiCr-Ni膜和Cu膜。 第三十七页，共五十六页。 2.5 复合导电材料 复合导电材料是由不导电的聚合物与导电体、半导体、有机络合物和有机电解质等复合制成的。 　　其导电填料、母料及制备工艺对材料的性能影响都很大。 导电填料有金属（金属粒子、覆银玻璃珠以及铝箔等）和非金属（碳黑、碳纤维、高分子导体）两类。 第三十八页，共五十六页。 2.5.1 加压导电薄片 加压导电薄片：在选择母料时使用了橡胶一类弹性较大的导电复合材料。在薄片受到压力时，由于物体压缩，导电材料接触，其厚度方向的电阻值立刻从绝缘状态(108 ?· cm)以上变为导电状态(102 ?· cm )以下。为了增加它们的使用寿命，一胶添加两种以上的微细金属粒子。 加压导电薄片的用途：主要用于感压（力）变电（信号）的传感器和有感压力功能开关。 第三十九页，共五十六页。 据说在硅橡胶中添加体积分数为25％～35％的金属粒子后，在一定大小的压力作用下，其电阻值可下降六个数量以上，使用寿命可达1000万次。 各向异性导电片的用途：主要用于电子元器件与印刷电路基板或电路基板的中间电极。 第四十页，共五十六页。 2.5.2 有机导电纤维 导电纤维的种类：有碳纤、金属细线，或碳分散型纤维，或在塑料纤维表面蒸发全属、电镀处理的导电纤维。 导电纤维的用途：用来作防静电、防尘、防静电火花的混纺织物，用来制作集成电路或其他要求很高的精密设备生产人员的衣帽。 第四十一页，共五十六页。 新近发展了一些能够染色的新型导电纤维。它是在制线过程中使聚酯纤维白线金属化，这样金属集中在它的外侧，到中心部分愈来愈少，导电物质就不易利落，有半永久性的效果。若采取长短纤维纤维结合。可以充分保持聚酯纤维出色的特性。因此，它是一种很有发展前途的导电纤维材料。 2.6