片机技术基础第二章.pptVIP

（3）隔离处理 从工业现场获取的开关量或数字量的信号电平往往高于计算机系统的逻辑电平； 即使输入开关量电压本身不高，也有可能从现场引入意外的高压信号； 因此必须采取电隔离措施，以保障计算机系统的安全。 常用的隔离措施是采用光电耦合器件实现的。 下图给出了两种开关量光电耦合输入电路，它们除了实现电气隔离之外，还具有电平转换功能。 图2.7 开关量光电耦合输入电路 工业控制的现场开关，一般使用24VDC电源。 注意：现场侧和CPU侧两边没有电的联系（独立的电源和地线） 现场侧 CPU侧 （4）光电耦合器件原理与使用 光电耦合器件是一种常用且非常有效的电隔离手段，由于它价格低廉、可靠性好，被广泛地用于现场设备与计算机系统之间的隔离保护。 根据输出级的不同，用于开关量隔离的光电隔离器件可分为三极管型、可控硅型等几种，但其工作原理都是采用光作为传输信号的媒介，实现电气隔离。 使用光电隔离器件的注意事项 以三极管输出光电耦合器件为例。 图2.8 三极管输出型光电隔离器件原理 当输入侧流过一定的电流IF 时，发光二极管开始发光，它触发光敏三极管使其导通；当撤去该电流时，发光二极管熄灭、三极管截止。这样，就实现了以光路来传递信号，保证了两侧电路没有电气联系，从而达到了隔离的目的。 使用光电隔离器件的注意事项 要注意不要超过期间的极限参数。 以三极管输出隔离器件为例。 通过查询它的技术说明书，可以获得使用参数，主要参数包括发光二极管侧的输入电流，反向电压等； 输出侧：C-E结电压、集电极最大电流 隔离电压 电流传输比等 例如以TLP521-1为例。 尽量在推荐条件下使用 极限条件 推荐的使用条件 参数 符号 最小值 min 典型值 Typ 最大值 Max 单位 输入电流 IF — 16 50 mA 反向电压 VR 5 V 工作温度 TOPR -25 — 85 ℃ 二极管侧 参数 符号 最小值 min 典型值 Typ 最大值 Max 单位 集电极电流 Ic — 1 10 mA 输出侧电压 VCEO 55 V 输出侧 使用注意事项主要有： 输入侧导通电流 频率特性 输出端工作电流 输出端暗电流 隔离电压 电源隔离 （1）输入侧导通电流 为了可靠传送信息，一般在10mA左右比较合适。当然，不同的器件可能会有差异，例如TLP521系列推荐在16mA左右。 2.3 89C51存储器配置 89C51存储器 程序存储器ROM 数据存储器ROM 片内程序存储器 片外程序存储器 片内数据存储器 片外数据存储器 物理结构（哈佛结构） 普林斯顿结构： 程序和数据共用一个存储器逻辑空间，统一编址。 哈佛结构： 程序与数据分为两个独立存储器逻辑空间，分开编址。 ★ 89C51存储器属于哈佛结构： 包含4KB程序存储器Flash ROM 包含128B内部数据存储器。 存储器的结构 片内外程序存储器 片内数据存储器 片外数据存储器 片外 64KB 0000H FFFFH 提示：CPU访问片内、外ROM用指令 MOVC 片外RAM用 指令 MOVX 片内RAM用 指令 MOV 片外 60KB 片外 60KB 片内 4KB FFFFH 0000H 0000H 0FFFH 1000H FFFFH EA=1 EA=0 128B 128B SFR 00H 7FH 80H FFH 2.3.1 程序存储器 用于存放程序和常数表。 含4KB Flash ROM，当EA=1时，片内程序存储器被允许（地址为0000~0FFFH时自动访问片内，地址为1000H~FFFFH时自动访问片外）。 当EA=0时，片内程序存储器被禁止。 片外 60KB 片外 60KB 片内 4KB FFFFH 0000H 0000H 0FFFH 1000H FFFFH EA=1 EA=0 片内片外统一编址：0000H~FFFFH 中断向量表 0023H 串行口中断 001BH 定时器1溢出中断 0013H INT1中断 000BH 定时器0溢出中断 0003H INT0中断 中断入口地址 中断源 0003H～002AH均匀 地分为5段，为5个中 断服务程序起始处。 因为字节单元太少， 所以常在这些存储单 元中存放转移指令。 片内ROM和片外ROM取指的速度相同。应尽量避免外扩程序存储器芯片而增加硬件的负担.在极特殊的情况下,才应外扩程序存储器芯片执行外部程序. 程序存储器的低地址的40多个单元留给