刻蚀设备项目投资价值分析报告【参考模板】.docx

泓域咨询/刻蚀设备项目投资价值分析报告  刻蚀设备项目 投资价值分析报告 xxx有限公司 报告说明 随着当前先进芯片关键尺寸的不断减小以及FinFET与3DD等三维结构的出现，不同尺寸的结构在刻蚀中的速率差异将影响刻蚀速率，对于高深宽比的图形窗口来说，化学刻蚀剂难以进入，反应生成物难以排出。另外，薄膜堆栈一般由多层材料组成，不同材料的刻蚀速率不同，很多刻蚀工艺都要求具有极高的选择比。第三个问题在于当达到期望深度之后，等离子体中的高能离子可能会导致硅片表面粗糙或底层材料损伤。 根据谨慎财务估算，项目总投资49580.43万元，其中：建设投资37057.49万元，占项目总投资的74.74