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刻蚀设备项目可行性报告（范文）.docx

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    泓域咨询/刻蚀设备项目可行性报告 刻蚀设备项目 可行性报告 xx有限责任公司 报告说明 目前先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。一个等离子体刻蚀机的基本部件包括发生刻蚀反应的反应腔、产生等离子体气的射频电源、气体流量控制系统、去除生成物的真空系统。刻蚀中会用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅，氯和氟刻蚀铝，氯、氟和溴刻蚀硅，氧去除光刻胶。 根据谨慎财务估算，项目总投资31646.01万元，其中：建设投资25856.52万元，占项目总投资的81.71%；建设期利息377.91万元，占项目总投资的1.19%；流动资金5411.5

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