半导体物理实验室建设立项申请报告.docx

新 余 高 专 实验室建设立项申请报告 申请 单 位: 太阳能科学与工程系实验室名称: 半导体物理实验室项目负责人: 刘波 申请 日 期: 2009 年 2 月 新余高专教务处制 PAGE PAGE 2 一、实验室建设的论证报告及筹建规划 1.实验室设置的必要性和可行性论证 半导体器件物理课程是光伏产业技术、光伏器件设备制造技术等专业（本） 专科生的专业基础课。要求学生掌握半导体材料的结构和主要特性。为学习后续课程以及今后从事对光伏器件的设计和性能改进打下基础。本实验室的功能主要是验证和反映半导体材料的微观结构和物理特性，通过实验可使学生巩固所学的知识，了解和掌握半导体材料的主要物理特性，锻炼实际动手能力。 光伏技术专业是我校的重点特色专业，《半导体器件物理》课程的许多内容涉及物质的微观领域，抽象难懂，因此为提高教学质量，达到教学目标，应通过直观实际的实验帮助学生学习本课程。！因此半导体物理实验室的建设既可满足太阳能科学与工程系各专业的教学需要也可满足一定的科研实验的要求。，同时也可为教师的科研工作提供支持。 因此，建设一个规范的、设施先进、良好的半导体基础实验室二也是十分必要的。本实验室和半导体器件实验室相互配合，各有所侧重，共同完成《半导体器件物理》课程的教学。 本实验室共需建设经费约 101.3 万元。 二、各课程实验内容与实验学时安排表 序 序 号 课程名称 实验项目名称 学时 应配仪 器套数 实验要求 （必修或选修） 时间 1 半导体器件物 理 半导体器件物理 半导体晶面的定向 2 1 选修 2 Pn 结物理特性 2 20 必修 第 2 学 期 第 2 学 期 3 半导体器件物 理 “四探针法”测量半导体的电阻率及 2 20 必修 薄层电阻 第 2 学 期 4 半导体器件物 理 半导体器件物理 “半导体器件物理 半导体器件物理 半导体霍尔系数及电阻率测量 2 20 必修 5 半导体的热敏特性和禁带宽度 2 20 选修 6 光电导法”测量半导体少子寿命 2 1 必修 7 MOS 结构高频电容-电压特性测量 2 20 选修 第 2 学 期 第 2 学 期 第 2 学 期 第 2 学 期 低值易耗品及材料消耗品计划单 品名型号规格单位数量单价(元) 品 名 型号规格 单位 数量 单价(元) 总额(元) 用 途 注：与半导体器件实验室共用系领导签字： 盖章： 注：与半导体器件实验室共用 三、仪器设备配置情况明细表 承担实验 仪器名称 型号规格 项目 (填序号) 拟购 预计预计需购台单价 预计 预计 需购台 单价 总价 件 （万 （万 元） 元） 激光晶轴定向仪 项目 参 晶锭直径 3～8 英寸晶锭最大长度 500 科研 测定晶面（硅）111，100 定向精度±30″ 最小读数 1″  1 5 5  2009 年 需要厂家免费在使用单位专业培训 PN 结物理特性测定仪 直流电源两组: 量程分别为 20V 和 1.5V 连续可调 数字电压表两组 :四位半数字电压表,量程:2V,20V  2 20 0.27 5.4  2009 年 需要厂家免费在使用单位专业培训 四探针电阻率测试仪 数字电压表量程：0-199.99mv 灵敏度： 10η V 输入阻抗： 1000MΩ 0—9．999mV 灵敏度：1η V 输入阻抗：10 MΩ 可测电阻率范围：0.001—6000 Ω .cm  3 20 1.1  22 2009 年 需要厂家免费在使用单位专业培训 霍尔效应测试仪 主要技术参数： 1、励磁恒流源 0~0.5A， 调节细度＜ 1mA，稳定度＜ 10-5，3 位半 LED 数显； 2 、 样 品 工 作 电 流 源 0~3.5mA，调节细度＜10μA， 4 稳定度＜10-5，3 位半 LED 数显； 3、直流数字毫伏表 0~20mV， 分辨率 10μV，3 位半 LED 数显。  20 0.465 9.3 2009 年 需要厂家免费在使用单位专业培训 电源 电源: 恒流源：20.0μA,温度范围: 0.0~100.0℃ ℃ 需要厂家 免费在使 半导体热电特性 综合实验仪 温度变化范围：0.0～100.0℃，恒 5 20 0.98 19.6 流源：20.0μ A，电压精度：0.01 200 9 年 用单位专 业培训 V 。 专门测试 Si Ge, 电阻率范围： 0.1~1000Ω .cm 少子寿命测定 仪 需要厂家 免费在使用单位专业培训 PDA 紫外分光 光度计。 激光波长：904nm, 测试点大小： 10mm2, 微波源：10GHZ 少子寿命检测范围： 100ns~20ns 检测分辨率：0.1﹪ 技术参数 光源：钨灯氘灯 检测器：1024 管光电二极管阵列 波长范围： 190~1100