光电检测技术-试题库.docx

- - .z. . z. 光电检测题库 一、填空题 对于光电器件而言，最重要的参数是、和。 光电倍增管由阳极、光入射窗、电子光学输入系统、和 等构成。 光电三极管的工作过程分为和 。 激光产生的根本条件是受激辐射、和 。 非平衡载流子的复合大致可以分为和。 在共价键晶体中，从最内层的电子直到最外层的价电子都正好填满相应的能带，能量最高 的是填满的能带，称为价带。价带以上的能带，其中最低的能带常称为，与之间的区域称为。 7.本征半导体在绝对零度时，又不受光、电、磁等外界条件作用，此时导带中没有，价带中 没有，所以不能。 载流子的运动有两种型式，和。 发光二极管发出光的颜色是由材料的决定的。 光电检测电路一般情况下由、、组成。 光电效应分为内光电效应和效应，其中内光电效应包括和，光敏电阻属于效应。12.半导体对光的吸收一般有、、、和这五种形式。 13. 光电器件作为光电开关、光电报警使用时，不考虑其线性，但要考虑。14.半导体对光的吸收可以分为五种，其中和可以产生光电效应。 光电倍增管由阳极、光入射窗、电子光学输入系统、和等构成，光电倍增管的光谱响应曲线主要取决于材料的性质。 描述发光二极管的发光光谱的两个主要参量是和。 检测器件和放大电路的主要连接类型有 、和等。 18..使用莫尔条纹法进展位移-数字量变换有两个优点，分别是和。 电荷耦合器件〔CCD〕的根本功能是和。 光电编码器可以按照其构造和数字脉冲的性质进展分类，按照信号性质可以分为和。 交替变化的光信号，必须使所选器件的大于输入信号的频率才能测出输入信号的变化。 随着光电技术的开展，可以实现前后级电路隔离的较为有效的器件是。 硅光电池在偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态*围较大。 发光二极管的峰值波长是由决定的。 二、名词解释 光亮度： 本征半导体： N 型半导体： 载流子的扩散运动： 光生伏特效应： 内光电效应： 7.光电效应 量子效率 分辨率 二次调制 二值化处理 光电检测技术 响应时间 热电偶 亮度中心检测法 三、判断正误 A/D 变换量化误差不随输入电压变化而变化，是一种偶然误差。 〔 〕 采样/保持电路起到信号保持作用的保持电容，电容容量愈大电压下降愈慢，所以保持电容越大越好。〔 〕 光电倍增管的光电阴极上发射出光电子的最大速度随入射光光子能量的增大而增大。 〔 〕 影响光电器件探测极限的因素是噪声，噪声是可以消除或减小的。〔 〕 光电倍增管的光谱响应曲线与光电阴极的光谱响应曲线一样，主要取决于光电阴极材料的性质。〔 〕 光敏电阻是光电导效应器件。〔 〕 CCD 驱动信号中三相与两相的电极构造是一样的。〔 〕 CCD 器件按像敏元的排列形式可以分为一维和二维两种。〔 〕 光电耦合器件具有信号传输的单向性，所以只适用于的直流或数字脉冲信号。〔 〕 雪崩二极管在使用时要加高反向偏压。〔 〕 四、简答题 光电检测器件和热电检测器件的比拟。 简述光电池与光电二极管的区别。 简述光电检测电路设计依据及其设计要求。 对于扩散型 PiN 硅光敏二极管来说，i 层主要起到了什么作用. 简述变像管和像增强管的工作原理及区别. 探测器件在进展极为微弱的信号探测时，有时要放入液氮中使用，为什么. 7.简述光电池与光电二极管的一样点和区别。 简述光电检测电路的组成及各局部的作用。 以热敏电阻探测温度为例，分析热敏电阻典型桥路的输出电压变化?U 与热敏电阻温度变化?T 之间关系. 光电导体的灵敏度大小取决于哪些因素 .为什么要把光敏电阻的形状制成蛇形 .在微弱的 光照下，光电导和光强之间是什么样的关系. 简述像点轴外偏移检测的像偏移法测位移的工作原理. 雪崩光敏二极管和光电倍增管的异同. 帧转移型面阵 CCD 的组成及工作过程. 简单画出光电成像系统的原理方框图. 在微弱辐射作用下，光电导材料的光电灵敏度有什么特点.当辐射增强，该特点有何变化. PSD 器件的主要特点是什么.画图说明激光三角法测量中 PSD 的作用。 CMOS 图像传感器与 CCD 图像传感器的主要区别是什么. 说明热释电摄像管中斩光器的作用。当斩光器的微电机出现不转或转速变慢故障时，会发生什么现象. 单元光电信号的二值化处理方法有哪些，其各自有何特点. 激光扫描系统的组成及测量原理 光栅莫尔条纹的产生原理及在位移测量中的作用和特点. 五、分析题 简述差动法双通道测量系统的工作原理，分析双通道测量系统比单通道测量系统相比有什么优点。 分析比拟增量式编码器与绝对是编码器的异同点。 分析热释电探测器的工作原理，并进一步说明为什么热释电探测器件要工作在居里温度以 下. 火炮身管直线度测量系统主要由哪些局部组成.分析如何进展身管内膛直线度的测量。 如何使用激光扫描测量的方式实现圆柱体直径的测量.