GB/T 41325-2022集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片.pdf

ICS29.045 CCSH 82 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT41325 2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑 硅单晶抛光片 Lowdensitcrstaloriinated itolishedmonocrstallinesiliconwafersfor y y g p p y interatedcircuit g 2022-03-09发布 2022-10-01实施 国家市场监督管理总局 发 布 国家标准化管理委员会 / — GBT41325 2022 前 言 / — 《 : 》 本文件按照 标准化工作导则 第 部分 标准化文件的结构和起草规则 的规定 GBT1.1 2020 1 起草。 。 。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会( / )与全国半导体设备和材料标准 SACTC203 化技术委员会材料分技术委员会( / / )共同提出并归口。 SACTC203SC2 : 、 、 本文件起草单位 有研半导体硅材料股份公司 山东有研半导体材料有限公司 杭州中欣晶圆半导 、 、 、 体股份有限公司 南京国盛电子有限公司 有色金属技术经济研究院有限责任公司 浙江金瑞泓科技股 、 、 。 份有限公司 中环领先半导体材料有限公司 浙江海纳半导体有限公司 : 、 、 、 、 、 、 、 、 、 、 本文件主要起草人 孙燕 宁永铎 钟耕杭 李洋 徐新华 骆红 杨素心 李素青 张海英 由佰玲 潘金平。 Ⅰ / —