PECVD工艺原理及操作.ppt

PECVD工艺原理及操作;;; 直流溅射 ;;其它方法的沉积温度： APCVD —常压CVD，700-1000℃ LPCVD —低压CVD， 750℃，0.1mbar PECVD — 300-450 ℃，0.1mbar PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（450℃）。因此带来的好处： 节省能源，降低成本 提高产能 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 其他优点： 沉积速率快 成膜质量好 缺点： 设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高 镀膜过程中产生的剧烈噪音、辐射、粉尘等对人体有害;;;PECVD;; 王松;;;;;; 管式PECVD系统; 王松; 王松; 王松;压力;;;;;;;;;;;;;;基本操作_板P;;;;基本操作_管P;;白圈;;