《半导体集成电路》考试题目及参考答案.doc

第一局部 考试试题 第0章 绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.依据半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.依据器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 第1章 集成电路的根本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简洁表达一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为根底的BiCMOS的有哪些缺乏？ 6.以N阱CMOS工艺为根底的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的幅员，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的幅员，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否无视？。 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消退“Latch-up〞效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 第3章 集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区集中电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，耗散功率为 20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释 电压传输特性 开门/关门电平 规律摆幅 过渡区宽度 输入短路电流 输入漏电流 静态功耗 瞬态延迟时间 瞬态存储时间 瞬态上升时间 瞬态下降时间 瞬时导通时间 2. 分析四管标准TTL与非门〔稳态时〕各管的工作状态？ 3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析缘由以及带来那些困难。 4. 两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善，并分析改善局部是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。 5. 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些局部作了改善，分析改进局部是如何工作的。 6. 画出四管和六管单元与非门传输特性曲线。并说明为什么有源泄放回路改善了传输特性的矩形性。 7. 四管与非门中，假设高电平过低，低电平过高，分析其缘由，如与改善方法，请说出你的想法。 8. 为什么TTL与非门不能直接并联？ 9. OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会消灭TTL与非门并联的问题。 第5章MOS反相器 1. 请给出NMOS晶体管的阈值电压公式，并解释各项的物理含义及其对阈值大小的影响〔即各项在不同状况下是提高阈值还是降低阈值〕。 2. 什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？ 3. MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？ 4. 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。 5. 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？ 6. 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分〔不考虑沟道调制效应〕？ 7.请画出晶体管的特性曲线，指出饱和区和非饱和区的工作条件及各自的电流方程〔无视沟道长度调制效应和短沟道效应〕。 8.给出E/R反相器的电路结构，分析其工作原理及传输特性，并计算VTC曲线上的临界电压值。 9.考虑下面的反相器设计问题：给定VDD=5V，KN`=30uA/V2 ，VT0=1V 设计一个VOL=0.2V的电阻负载反相器电路，并确定满足VOL条件时的晶体管的宽长比(W/L)和负载电阻RL的阻值。 10.考虑一个电阻负载反相器电路：VDD=5V，KN`=20uA/V2 ，VT0=0.8V，RL=200KΩ，W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值〔VOL、VOH、VIL、VIH〕及电路的噪声容限，并评价该直流反相器的设计质量。 11.设计一个VOL=0.6V的电阻负载反相器，增加型驱动晶体管VT0=1V， VDD=5V 1〕求VIL和VIH 2〕求噪声容限VNML和VNMH 12.接受MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？ 13.增加型负载nMOS反相器有哪两种电路结构？简述其优缺点。 14.以饱和增加型负载反相器为例分析E/E反相器的工作原理及