肖特基与快恢复二极管的区别.pdfVIP

肖特基二极管的作用 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（ 5us 以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用 PN 结型结构，有的采用改进的 PIN 结构。其正向压降高于普通二极管 （0.5-2V ），反向耐压多在 1200V 以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在 100ns( 纳秒 ) 以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管， 简称肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode ），具有正向压降低 （0.4－－ 1.0V ）、反向恢复时间很短 （2-10ns 纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于 150V ，多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复 时间大约为几纳秒！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金 ,单纯的扩散等工艺 , 可获得较高的开关速度 , 同时也能得到较高的耐 压 . 目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件 . 肖特基二极管：反向耐压值较低 ( 一般小于 150V ），通态压降 0.3-0.6V ，小于 10nS 的反向恢复时间。它是有肖特基特性的 金属半导体结“ ”的二极管。其正向起始电压较低。 其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少 数载流子导电的 PN 结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为 RC 时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率 可达 100GHz 。并且， MIS （金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有 0.8-1.1V 的正向导通压降， 35-85nS 的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上 采用掺金 ,单纯的扩散等工艺 ,可获得较高的开关速度 ,同时也能得到较高的耐压 . 目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件 . 快恢复二极管 FRD （Fast Recovery Diode ）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二 极管 SRD （Superfast Recovery Diode ），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间 trr 值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于 开关电源电源模块 V-60 、脉宽调制器（ PWM ）、不间断电源（ UPS ）、交流电动机变频调速（ VVVF ）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、 电子半导体器件。 1 ．性能特点 1 ）反向恢复时间 反向恢复时间 tr 的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及 整流器硅整流 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图 1 所示。 IF 为正向电流， IRM 为最大反向恢复电流。 Irr 为反向恢复电流，通常规定 Irr=0.1IRM 。当 t ≤t0时，正向电流 I=IF 。当 t ＞t0 时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电 压，因此正向电流迅速降低，在 t=t1 时刻， I=0 。然后整流器件上流过反向电流 IR ，并且 IR 逐渐增大；在 t=t2 时刻达到最大反向恢复电流 IRM 值。此后受正向电压的作用， 反向电流逐渐减小，并在 t=t3 时刻达到规定值 Irr 。从 t2 到 t3 的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。 2 ）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在 P 型、 N 型硅材料中间增加了基区 I ，构成 P-I-N 硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了