集成电路技术集成电路工艺原理试卷（集成电路技术）.docVIP

试卷第 PAGE 4 页共 NUMPAGES 4 页 集成电路技术集成电路工艺原理试卷（集成电路技术） 姓名:_____________ 年级:____________ 学号:______________ 题型 选择题 填空题 解答题 判断题 计算题 附加题 总分 得分 评卷人 得分 1、用来做芯片的高纯硅被称为（ ），英文简称（ ），有时也被称为（ ）。 2、单晶硅生长常用（ ）和（ ）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（ ）。 3、晶圆的英文是（ ），其常用的材料是（ ）和（ ）。 4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是（ ）、整型、（ ）、磨片倒角、刻蚀、（ ）、清洗、检查和包装。 5、从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（ ）、（ ）和（ ）。 6、CZ直拉法生长单晶硅是把（ ）变为（ ）并且（ ）的固体硅锭。 7、CZ直拉法的目的是（ ）。 8、影响CZ直拉法的两个主要参数是（ ）和（ ）。 9、晶圆制备中的整型处理包括（ ）、（ ）和（ ）。 10、制备半导体级硅的过程：1、（ ）；2、（ ）；3、（ ）。 11、热氧化工艺的基本设备有三种（ ）、（ ）和（ ）。 12、根据氧化剂的不同，热氧化可分为（ ）、（ ）和（ ）。 13、用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（ ）、（ ）、气体分配系统、尾气系统和（ ）。 14、选择性氧化常见的有（ ）和（ ），其英语缩略语分别为LOCOS和（ ）。 15、列出热氧化物在硅片制造的4种用途（ ）、（ ）、场氧化层和（ ）。 16、硅片上的氧化物主要通过（ ）和（ ）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（ ）。 17、立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（ ）、（ ）和（ ）组成。 18、目前常用的CVD系统有（ ）、（ ）和（ ）。 19、淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（ ），第二步是（ ），第三步是（ ）。 20、缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（ ）、（ ）、高密度等离子体化学气相淀积和（ ）。 21、在外延工艺中，如果膜和衬底材料（ ），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（ ）。 22、如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（ ）、（ ）或者在器件中产生不希望的（ ）。 23、对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是（ ）、高黏附性、（ ）、（ ）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。 24、在半导体制造业中，最早的互连金属是（ ），在硅片制造业中最普通的互连金属是（ ），即将取代它的金属材料是（ ）。 25、写出三种半导体制造业的金属和合金（ ）、（ ）和（ ）。 26、终点检测是指（ ）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（ ）和（ ）。 27、硅片平坦化的四种类型分别是（ ）、部分平坦化、（ ）和（ ）。 28、CMP是一种表面（ ）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（ ），并同时施加（ ）。 29、光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（ ），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（ ），后者是（ ）。 30、在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（ ）、（ ）和（ ）。 31、随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（ ）以形成一个凹槽，然后淀积（ ）来覆盖其上的图形，再利用（ ）把铜平坦化至ILD的高度。 32、刻蚀是用（ ）或（ ）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（ ）。 33、刻蚀剖面指的是（ ），有两种基本的刻蚀剖面（ ）刻蚀剖面和（ ）刻蚀剖面。 34、