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试卷第 PAGE 2 页共 NUMPAGES 2 页 电子技术电子电路试卷（电子技术） 姓名:_____________ 年级:____________ 学号:______________ 题型 选择题 填空题 解答题 判断题 计算题 附加题 总分 得分 评卷人 得分 1、半导体数码显示器的特点是（ ） A.亮度高、响应速度慢； B.亮度低、响应速度慢； C.亮度高、响应速度快； 亮度低、响应速度快2、CMOS集成门闲置的输入端和闲置的输出端的处理（ ） A.闲置的输入端不允许悬空和闲置的输出端不允许接地或接电源； B.闲置的输入端允许悬空和闲置的输出端不允许接地或接电源； C.闲置的输入端不允许悬空和闲置的输出端允许接地或接电源； 闲置的输入端允许悬空和闲置的输出端允许接地或接电源3、NTC热敏电阻，PTC热敏电阻的温度特性是（ ） A.均是负温度系数 B.NTC是负温度系数；PTC是正温度系数 C.均是正温度系数 NTC是正温度系数；PTC是负温度系数4、指针式万用表置R×1K档，用黑表笔接三极管某一极，红表笔分别碰另外两极，若两次电阻均小，判别三极管类型和黑表笔接管脚（ ） A.NPN型、黑表笔接管脚是集电极； B.PNP型、黑表笔接管脚是集电极； C.NPN型、黑表笔接管脚是基极； PNP型、黑表笔接管脚是基极；5、有一色环电阻的颜色是棕橙黑黑棕，它的标称值和允许误差是（ ） A.130Ω，±10%； B.1300Ω，±1%； C.1300Ω，±10%； 130Ω，±1%6、晶体三极管3DG12的材料和极性是（ ） A.PNP型，锗材料 B.NPN型，锗材料 C.PNP型，硅材料 NPN型，硅材料7、晶体三极管3DA的器件类别是（ ） A.低频小功率管 B.高频大功率管 C.高频小功率管 低频大功率管8、晶体二极管2AP9的材料和极性是（ ） A.P型，锗材料 B.N型，锗材料 C.N型，硅材料 P型，硅材料9、硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（ ） A.0.7V；0.3V B.0.2V；0.3V C.0.3V；0.7V 0.7V；0.6V10、共射极电流放大系数β与共基极电流放大系数α之间满足关系式（ ） A.α=1+β/1-β B.α=β/1+β C.α=1-β/1+β α=1+β/β11、阻容耦合多级放器能传递或放大（ ） A.直流信号和交流信号 B.直流信号 C.直流信号和变化缓慢的交流信号 交流信号12、变压器耦合多级放器只能传递或放大（ ） A.直流信号和交流信号 B.直流信号 C.直流信号和变化缓慢的交流信号 交流信号13、直接耦合多级放器存在现象（ ）。 A.只能通高频信号 B.零点漂移 C.只能通直流信号 只能通交流信号14、结型场效应晶体管根据结构不同分为（ ） A.P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B.P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管 C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管15、绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（ ） A.P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B.增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管16、场效应晶体管与晶体三极管比较，其突出优点是（ ） A.噪声低、输入阻抗低 B.热稳定性好、输入阻抗低 C.噪声低、输入阻抗高 噪声低、热稳定性差17、场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（ ） A.结型场效应晶体管，简称JFET B.绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET C.结型场效应晶体管JGFET 绝缘栅型场效应晶体管JGFET18、集成运放的开环电压增益非常高，这些参数接近理想化的程度。（ ） A.输入电阻很大，输出电阻很小 B.输入电阻输出电阻均很大 C.输入电阻很小，输出电阻很大 输入电阻输出电阻均很小19、提高放大器的输入电阻和稳定输出电压，则应选用（