材料科学基础:第七章 表 面 与 界 面.pptVIP

材料科学基础:第七章 表 面 与 界 面.ppt

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第七章 表 面 与 界 面 1、表面 2、晶界、亚晶界 3.晶界能 4、晶界偏聚 5、相界 6、复合材料 6.1、复合材料增强原理 6.2、复合材料的界面 二维缺陷—— 界面、表面、 晶界、亚晶界、孪晶界、层错界、 相界 一、表面 1.表面的结构 表面原子一侧没有固体原子与之键合,有较高能量几个原子层厚,与周围气相或液相接触的面 结构、性能与晶体内部不相同。 2.表面能 晶体表面原子与周围原子键合数 减少,多余的未结合的键使内能增 加 表面能 ?(J/m2)=dw/dA, 即为增加单位表面积 所作的功。 晶体表面 3. 晶体表面 为密排面:各晶面原子排列密度不同,各面表面能不同。 密排面作表面,晶体表面能最低 表面能极图 实际晶体外表面台阶化 4. 表面吸附 表面原子结合键不饱和 通过吸附可达到平衡状态,吸附层几个原子层厚 正吸附:吸附原子浓度高于其在晶内浓度, 反之负吸附 驱动力:表面自由能的降低 Gibbs吸附方程 Г=-x/RT( σ/ x)T Г:吸附量 x:溶质原子在晶体中平衡体积浓度 R:气体常数 T:绝对温度 ( σ/ x)T:一定温度下比表面能随溶质原子浓度的改变率 ( σ/ x)T0,Г0,增加溶质浓度,表面能降低,正吸附表面偏聚 ( σ/ x)T0,Г0,则为负吸附,溶质在表面贫化 二、晶界、亚晶界 1. 分类 大角晶界:相邻晶体位向差θ10° 小角度晶界:位向差θ为2°~10° 亚晶界:位向差θ2° 2. 大角度晶界模型 大角度晶界中仍有周期性结构,重合位置点阵模型 相邻晶粒点阵延伸互相穿插,两晶粒位向转动一特定角度后,两晶粒的阵点有部分处于重合位置,由重合的阵点构成重合位置点阵 大角晶界模型: 晶界力求与重合点阵密排面重合,即使有偏离,晶界会台阶化,使大部分面积分段与密排面重合,中间以小台阶相连。 如图,AB、CD与重合点阵密排面重合,中间BC小台阶相连。 3. 小角度晶界: 对称倾侧晶界、不对称倾侧晶界、扭转晶界 3.小角度晶界— 对称倾侧晶界 由相隔一定距离刃型位置垂直排列组成 位错间距离D:与柏氏矢量及位向差关系, 已知晶体点阵常数,想法测出位错蚀坑距离,可计算位向差 不对称倾侧晶界 3.小角度晶界-不对称倾侧晶界--两组不同方向的刃错组成 扭转晶界 不对称倾侧晶界 两晶体各转θ/2后形成晶界,晶界与x轴成ψ角 扭转晶界:两晶体绕轴旋转后相差θ后螺型位错 网络组成 扭转晶界示意图 扭转晶界位错模型 4.亚晶界--- 每个晶粒中直径10-100μm的晶块(亚晶粒)之的界面 亚晶界---溶质原子优先聚集和第二相优先析出的地方可阻碍位错运动,影响材料力学性能 晶界上非正常结点位置原子引发晶格畸变,使能量升高。 小角度晶界能EB:可由位错模型计算 EB=E0θ(A-lnθ),E0=Gb/4π(1-γ), A=EC4π(1-γ)/Gb2 EC为位错中心能量,金属晶界能与晶粒位向差θ的关系 晶界能---实线测量值、虚线计算值 小于15-200 两者符合很好。EB在小角时与位向敏感,大角度时为常数 晶界能---三个晶界平衡时有 E1/sinφ1=E2/sinφ2=E3/sinφ3 6.晶界能应用---少量第二相形状 A、第二相基体晶粒内 与基体完全不共格或完全共格,呈球状 与基体只有一个共有晶面,为减少界面能,第二相呈园盘状或片状 晶界能应用---少量第二相形状: B.界面上第二相形状 平衡时界面能的关系, γα-α=2γα-βcosθ/2界面能γα-α/γα-β 比值的大小决定第二相β形貌 θ=180 ° β呈球状 θ=0 ° β呈连续薄膜 0θ180°,可形成不同形状第二相 第二相形状 晶界能应用---少量第二相形状: C.二面角的用途 (a)杂质在金属压力加工中影响 Cu中Bi有热脆是因为Bi低熔点液相薄膜分布 (b)粉末冶金烧结时润湿性:选Co与WC (c)对焊料影响:焊接时用助焊剂使焊料润湿被焊金属表面。 界面的用途 生活:衣着,

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