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三明治结构终端的 IGBT 设计 IGBT是我国在高铁、汽车动力系统、家电等领域实现自主可控的核心功率 半导体器件 , 通过近 10 年来的不懈努力 , 进行工艺技术和设计技术的不断公关 , 我国的 IGBT 有了长足的进步。但和国际 IGBT 先进厂家对比 , 我国 IGBT 的设计制 造能力仍有较大差距 , 包括 IGBT 结构(元胞、终端)薄片加工技术等。 在 IGBT 的终端技术方面 , 目前国内以场板加场限环的终端结构为主 , 占用面积较大 , 因而亟待进行面积利用率更高的新型 IGBT 终端研究。本文以此为契机 , 基于国内现有工艺平台设计一款电压等级为 650 V 的具有三明
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