载流子浓度与电导率分析.pptVIP

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2020-08-12 发布于福建
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载流子浓度与电导率分析.ppt

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二、本征载流子浓度及影响因素本征载流0=NNe 子浓度n;n=P N。N1e n:=(NCN 3/2 akt lm, m h ∝(nn1,)3/4y3/22kT 2.影响n的因素 m、n 材料 (2)T的影响 Inn.=A+-InT 2k T 丌个,1/,n↑ 高温时,在Mnn1/T坐标下, 近似为一直线。 3杂质半导体载流子浓度积与n关系 EC-EL EL-E N Ne e kT=n ne 强调:不仅适用于本征半导体材料,也适用于非简并的杂质半导体材料。它们的空穴浓度分别为:Pn=2.25×10cm 例、现有三块半导体硅材料,已知室温下(3001 Pa2=1.5×10°cm 2.25×104cm (1)分别计算这三块材料的电子浓度,m,n; (2)判断这三块材料的导电类型; (3)分别计算这三块材料的费米能级的位置。 (1)室温时硅的E=1.12e,n=1.5×10°cm3 根据载流子浓度积公式 np=n可求出P n2(1.5×10°)2 =1×104cmn3 2.25×102 n2(1.5×100) =1.5×10 l.5×10 (1.5×10°)2 P3225×10=1×106cm3 (1.5×100)2 =1×106cm3 P 2.25×104