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2020-05-17 发布于湖南
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写入操作写入“1”，位线D上加高电位，对电容C充电。写入“0”，位线D上加低电位，电容C通过T放电。读操作当T导通以后，若原存信息为“1”，电容C上的电荷通过T输出到位线上，在位线上检测到电流，表示所存信息为“1”。若原存信息为“0，电容C上几乎无电荷，在位线上检测不到电流，表示所存信息为“0”。单元电路读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 A9 A8 A7 A6 A5 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器写数据线读数据线 … … … … … 0 … (2) 动态 RAM 芯片举例 ① 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 读 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 D … 0 0 4.2 单元电路读写控制电路 … A9 A8 A7 A6 A5 读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 单元电路行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器写数据线读数据线 … … … … … 0 … ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 4.2 1 1 1 1 1 4.2 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 A9 A8 A7 A6 A5 读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 单元电路行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器写数据线读数据线 … … … … … 0 … A9 A8 A7 A6 A5 读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 单元电路行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器写数据线读数据线 … … … … … 0 … 1 1 1 1 1 … 4.2 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 A9 A8 A7 A6 A5 读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 单元电路行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器写数据线读数据线 … … … … … 0 … … 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 4.2 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 A9 A8 A7 A6 A5 读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 单元电路行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器写数据线读数据线 … … … … … 0 … … 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 4.2 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 … A9 A8 A7 A6 A5 读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 单元电路行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器写数据线读数据线 … … … … … 0 … … D 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 4.2 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写 … A9 A8 A7 A6 A5 读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 单元电路行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0 刷新放大器写数据线读数据线 … … … … … 0 … … D 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 4.2 ② 三管动态 RAM 芯片 (Intel 1103) 写读写控制电路 … A9 A8 A7 A6 A5 读写控制电路列地址译码器 … … … 读选择线写选择线 D 单元电路行地址译码器 0 0 1 1 31 31 1 31 A4 A3 A2 A1 A0