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2020-04-19 发布于江西
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微纳电子器件笔记 3．12课程 TFT工作频率低，不能用于数字电路。考虑提升其工作频率，实现印刷电子 FET存储、放大。 MOSFET的分类：常闭（增强型）和常开（耗尽型） MOS的等比例缩小（scaling-down），重掺杂可以减小耗尽层宽度。不能一直减小栅压布局布线，平行的电容工艺制造：自对准技术，Al栅到多晶硅栅 4.9 Gate-last 性能更好 CMP 化学机械抛光超浅结（USJ）：可以降低SCE效应，因为使得耗尽层的比例降低。但是会增大寄生电阻，电压主要降在了源漏上而不是在沟道上。这样电流会降低 6.20. Bulk micromachining 各向同性刻蚀和各向异性湿法刻蚀和干法刻蚀，测量电容，就可以测量到加速度（电容加速度计），有横向和纵向