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DMOS工艺培训;Summary;DMOS应用;DMOS应用;WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICRO;DMOS结构:Cell图形,结的形状影响BV;DMOS结构:几种典型终端图形,影响BV;ESD的重要性——围绕“栅氧化层的保护”,栅氧厚度:980A厚度,击穿电压80V左右;PRT-DMOS光刻;PRT-DMOS工艺控制难点;PRT-DMOS工艺控制难点;衬底片;DMOS工艺(PRT)
终端形成
Ring注入/初氧/Ring推结
栅氧段
Act光刻/JFET注入/栅氧/多晶淀积
PWELL段
多晶刻蚀/Pwell注入推
Source段
Source注入/PBODY注入
CON段
ILD淀积/回流/CON光刻
INL
溅射蒸发/光刻腐蚀/合金;DMOS结构:PRT DMOS实际的管芯图和封装;BV(除材料)
CELL区控制
PWELL Xj
JFET Rs
Pbody Xj
Poly CD
终端控制
Ring Rs
Ring注入
初始氧化
;GS漏电
POLY 缺陷
多晶质量
多晶刻蚀
ILD缺陷
栅氧质量
理论GS耐压
Tox(nm)*0.8
GS测量注意
GS电压超过30V时,如果时间过长会导致WELL区永久反型
;Vth
反型基础
栅氧厚度
Pwell浓度
注入
推结
栅氧电荷
沟道长度
Source Xj
实际案例
Poly形貌
光刻
刻蚀;Rdson
JFET 电阻
JFET注入
WELL推结
WELL电阻
Well注入
Well推结
材料
正面金属
清洗
溅射
背面金属
清洗
蒸发;不同产品Rdson的核心影响因素(DMOS);VDMOS的发展;
问题交流
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