DMOS工艺培训培训资料.ppt

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DMOS工艺培训;Summary;DMOS应用;DMOS应用;WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICRO;DMOS结构:Cell图形,结的形状影响BV;DMOS结构:几种典型终端图形,影响BV;ESD的重要性——围绕“栅氧化层的保护”,栅氧厚度:980A厚度,击穿电压80V左右;PRT-DMOS光刻;PRT-DMOS工艺控制难点;PRT-DMOS工艺控制难点;衬底片;DMOS工艺(PRT) 终端形成 Ring注入/初氧/Ring推结 栅氧段 Act光刻/JFET注入/栅氧/多晶淀积 PWELL段 多晶刻蚀/Pwell注入推 Source段 Source注入/PBODY注入 CON段 ILD淀积/回流/CON光刻 INL 溅射蒸发/光刻腐蚀/合金;DMOS结构:PRT DMOS实际的管芯图和封装;BV(除材料) CELL区控制 PWELL Xj JFET Rs Pbody Xj Poly CD 终端控制 Ring Rs Ring注入 初始氧化 ;GS漏电 POLY 缺陷 多晶质量 多晶刻蚀 ILD缺陷 栅氧质量 理论GS耐压 Tox(nm)*0.8 GS测量注意 GS电压超过30V时,如果时间过长会导致WELL区永久反型 ;Vth 反型基础 栅氧厚度 Pwell浓度 注入 推结 栅氧电荷 沟道长度 Source Xj 实际案例 Poly形貌 光刻 刻蚀;Rdson JFET 电阻 JFET注入 WELL推结 WELL电阻 Well注入 Well推结 材料 正面金属 清洗 溅射 背面金属 清洗 蒸发;不同产品Rdson的核心影响因素(DMOS);VDMOS的发展; 问题交流

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