内蒙古大学模拟电子技术.pptxVIP

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2020-01-31 发布于上海
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内蒙古大学模拟电子技术.pptx

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半导体三极管图片;1.3.1 晶体管的结构及类型;;NPN型三极管符号;2、PNP型三极管结构示意图和符号;（1）发射区小，掺杂浓度大。;1.3.2 晶体管的工作原理（以NPN型管为例）;晶体管共射接法; (1) 电流关系;基区向发射区扩散空穴;因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流忽略不记。;b. 基区电子扩散和复合非平衡少子少量在基区复合，形成基区电流IB,多数向集电结扩散;非平衡少子到达集电区;反向饱和电流ICBO ;电流分配关系;定义;各电极电流之间的关系;发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。;得;???极管的电流分配关系动画演示; 如果 △UBE 0，那么△IB 0， △IC 0 ，△IE 0 ;共基交流电流放大系数 ;符号的意义;uBE = ube + UBE;a. 在RC两端有一个较大的交流分量可供输出。;晶体管放大的条件：内部条件：发射区掺杂浓度高，面积小；基区掺杂浓度低且很薄；集电区掺杂浓度低，面积大。外部条件：发射结正偏，集电结反偏;2．发射结正向偏置、集电结正向偏置—饱和状态 ;（5） UCE对IC的影响大，当UCE增大，IC将随之增加。当UCE增大使集电结从正偏往零偏变化过程中， UCE越大，到达集电区的非平衡少子就越多，Ic将随着UCE增大而增加。;（2） IC=ICBO，IB=－ICBO;4．发射结反向偏置、集电结正向偏置—倒置状态;总结;放大状态下晶体管各极电位关系;1.3.3晶体管的共射特性曲线 ;(1) 输入特性是非线性的，有死区。 ;2．共射极输出特性 ;各区的特点：;（3）截止区;NPN管与PNP型管的区别;硅管与锗管的区别:;1.3.4 晶体管的主要参数;2. 交流参数 ;iC;(2) 集电极最大允许电流ICM，过大影响功耗及β;1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 ;判别晶体管工作状态方法;思考题