《开关电源原理》-公开课件.ppt

第一部分常用器件介绍 一、整流二极管 二极管是功率电子系统中不可或缺的器件，用于整流、续流等。目前比较多地使用如下三种选择： 高效快速恢复二极管。压降0.8-1.2V，适合小功率，12V左右电源。 高效超快速二极管。0.8-1.2V，适合小功率，12V左右电源。 肖特基势垒整流二极管SBD。0.4V，适合5V等低压电源。缺点是其电阻和耐压的平方成正比，所以耐压低（200V以下），反向漏电流较大，易热击穿。但速度比较快，通态压降低。 双二极管 二、场效应管基础知识 1）、场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 2）场效应管的作用 1、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。 2、常用于多级放大器的输入级作阻抗变 换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。 3）、场效应管的测试: a、结型场效应管的管脚识别：　　场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 b、判定栅极　　用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。　　制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。　　注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 功率场效应管MOSFET 功率场效应管又叫功率场控晶体管。 电力场效应晶体管有3个端子： 漏极D、源极S和栅极G。当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止。如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT，则管子开通，在漏、源极间流过电流ID。UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大。 三、电阻器 碳膜电阻器（RT） 材料：高温下将有机化合物（烷，苯等碳氢化合物）热分解产生的碳积在陶瓷肌体表面。碳膜电阻器阻值范围宽，由良好的稳定性，温度系数不大且是负值，是目前应用最广泛的电阻器。 金属膜电阻（RJ） 材料：通过真空蒸发或阴极溅射，沉积在陶瓷肌体表面上一层很薄的金属或合金膜。 特点：金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小，金属膜电阻由于结构不均匀，因此使他的脉冲负载能力差。 SMT 电阻：（RI） 材料：片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。 ?特点：体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好 绕线电阻:RX 材料：用高阻合金线绕在绝缘骨架上制造。 特点：绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。 压敏电阻 根据使用目的的不同，可将压敏电阻区分为两大类： ①保护用压敏电阻 ②电路功能用压敏电阻。  保护用压敏电阻（1） 区分电源保护用，还是信号线，数据线保护用压敏电阻器，它们要满足不同的技术标准的要求。（2） 根据施加在压敏电阻上的连续工作电压的不同，可将跨电源线用压敏电阻器可区分为交流用或直流用两种类型，压敏电阻在这两种电压应力下的老化特性表现不同。 （3） 根据压敏电阻承受的异常过电压特性的不同，可将压敏电阻区分为浪涌抑制型，高功率型和高能型这三种类型。 ★浪涌抑制型：是指用于抑制雷电过电压和操作过电压等瞬态过电压的压敏电阻器，这种瞬态过电压的出现是随机的，非周期的，电流电压的峰值可能很大。绝大多数压敏电阻器都属于这一类。★高能型：指用于吸收发电机励磁线圈，起重电磁铁线圈等大型电感线圈中的磁能的压敏电压器，对这类应用，主要技术指标是能量吸收能力。  压敏电阻器的保护功能，绝大多数应